MOSFET Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY1B de 23 pines, 3elementos

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Código RS:
284-809
Nº ref. fabric.:
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Serie

EasyPACK

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

3

El módulo MOSFET de Infineon representa una solución de semiconductores de potencia de vanguardia, diseñada específicamente para mejorar la eficiencia en aplicaciones de alto rendimiento. Con la avanzada tecnología MOSFET de zanja CoolSiC, garantiza una capacidad de gestión de potencia y una fiabilidad excepcionales. Con un diseño robusto adaptado a entornos industriales exigentes, este módulo facilita una integración perfecta y un rendimiento sólido en aplicaciones solares y más allá. La integración de un sensor de temperatura NTC refuerza aún más la seguridad de funcionamiento, garantizando un rendimiento óptimo en condiciones variables. Ideal para ingenieros y desarrolladores, este producto simplifica los sistemas complejos manteniendo la excelencia operativa.

la tensión nominal de 1200 V garantiza la fiabilidad de la alta tensión
La alta densidad de corriente permite diseños compactos
Tecnología PressFIT para conexiones seguras
Sensor NTC integrado para controlar la temperatura
Las robustas abrazaderas garantizan una instalación segura
Cualificado para aplicaciones industriales según las normas IEC

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