MOSFET Infineon DF14MR12W1M1HFB67BPSA1, VDSS 1200 V, ID 30 A, AG-EASY1B de 23 pines, 2elementos

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Código RS:
284-811
Nº ref. fabric.:
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Serie

EasyPACK

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

2

El módulo MOSFET de Infineon se ha diseñado pensando en un rendimiento robusto, integrando la avanzada tecnología CoolSiC Trench MOSFET para mejorar la eficiencia y la gestión térmica. Este módulo no sólo destaca en aplicaciones de alta densidad de corriente, sino que también garantiza un diseño de baja inductividad, lo que lo hace ideal para entornos industriales exigentes. Adecuado para diversas aplicaciones, incluidos los sistemas fotovoltaicos, este módulo destaca por su fiabilidad y el cumplimiento de las normas internacionales, lo que refleja la calidad y la precisión de la ingeniería.

Sensor NTC de alto rendimiento para control térmico
La tecnología PressFIT simplifica la instalación y aumenta la durabilidad
La tensión de prueba de aislamiento garantiza la fiabilidad en condiciones extremas
La baja resistencia al encendido maximiza la eficiencia energética
Cumple las normas IEC de fiabilidad industrial
Diseño robusto que resiste entornos difíciles

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