MOSFET Infineon DF16MR12W1M1HFB67BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY1B de 23 pines, 2elementos

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Código RS:
284-815
Nº ref. fabric.:
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Serie

EasyPACK

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

2

El módulo MOSFET de Infineon es una solución de vanguardia diseñada para aplicaciones de alto rendimiento, que integra a la perfección la tecnología CoolSiC Trench MOSFET. Diseñado para satisfacer las exigencias de los sistemas energéticos modernos, este módulo garantiza una eficiencia y fiabilidad excepcionales. Con su diseño de baja inductividad y una gestión térmica óptima, destaca en entornos en los que la densidad de potencia y el espacio son fundamentales. Este avanzado producto está validado para cumplir rigurosas normas industriales, lo que garantiza su solidez en diversos entornos operativos.

El diseño de baja inductividad mejora el rendimiento dinámico
Tecnología PressFIT avanzada para facilitar la instalación
Sensor NTC integrado para controlar la temperatura
Alta densidad de corriente para una potencia superior
Las resistentes soluciones de montaje garantizan la estabilidad operativa
Cualificado para aplicaciones industriales según las normas IEC

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