MOSFET Infineon FF33MR12W1M1HB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY1B de 23 pines, 2elementos

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Código RS:
284-953
Nº ref. fabric.:
FF33MR12W1M1HB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Serie

EasyDUAL

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

2

El módulo MOSFET de Infineon revoluciona la gestión de la energía con su avanzada tecnología CoolSiC Trench MOSFET. Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, destaca por ofrecer un rendimiento fiable para convertidores CC/CC, accionamientos de motores y sistemas SAI. Esta ficha técnica preliminar presenta un módulo caracterizado por sus bajas pérdidas de conmutación y sus sólidas capacidades de refrigeración. Fabricado para aplicaciones industriales, el módulo cumple las estrictas normas IEC y promete longevidad y eficacia en entornos exigentes. Tanto para configuraciones profesionales como para proyectos de vanguardia, este módulo es la solución perfecta para grandes demandas de potencia.

Las abrazaderas integradas garantizan una instalación duradera
La tecnología PressFIT simplifica el montaje y el rendimiento
El diseño de baja inducción maximiza la eficiencia y reduce el ruido
Cualificado para normas industriales rigurosas y fiabilidad
El sensor NTC contribuye a la gestión térmica activa
Las bajas pérdidas por conmutación reducen los costes y prolongan la vida útil
Versátil para accionamientos de motor y sistemas SAI
Construcción robusta que resiste condiciones duras

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