MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF17MR12W1M1HB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, AG-EASY1B, Mejora de 23 pines

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Código RS:
284-821
Nº ref. fabric.:
FF17MR12W1M1HB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

AG-EASY1B

Serie

EasyDUAL

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

23

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Tensión directa Vf

5.35V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.149μC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Estándar de automoción

No

El módulo MOSFET de Infineon representa un avance significativo en la tecnología de semiconductores de potencia, diseñado para satisfacer las demandas rigurosas de las aplicaciones de conmutación de alta frecuencia. Este innovador módulo incorpora MOSFET de trinchera CoolSiC, lo que proporciona una eficiencia y fiabilidad inigualables. Con un diseño robusto adaptado a aplicaciones industriales, garantiza bajas pérdidas de conmutación y un excelente rendimiento térmico. La tecnología de contacto PressFIT integrada simplifica la instalación al tiempo que mantiene una conexión segura. Este módulo es una elección ideal para aplicaciones como convertidores dc/dc y sistemas UPS, revolucionando la gestión de energía con su construcción compacta y duradera.

El diseño inductivo bajo optimiza el rendimiento dinámico

El sensor de temperatura integrado mejora la seguridad

El montaje robusto garantiza la fiabilidad en entornos exigentes

Calificación para aplicaciones industriales conforme a los estándares IEC

Ideal para cargar dc en vehículos eléctricos

Instalación simplificada con tecnología PressFIT

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