MOSFET Infineon FF17MR12W1M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, AG-EASY1B de 23 pines, 2elementos

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Código RS:
284-825
Nº ref. fabric.:
FF17MR12W1M1HB70BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Serie

EasyDUAL

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

2

Material del transistor

SiC

El módulo MOSFET de Infineon está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, lo que lo convierte en una solución fiable para los sistemas industriales modernos. Con un diseño innovador que incorpora la tecnología CoolSiC Trench MOSFET y un sensor de temperatura NTC integrado, este módulo garantiza una eficiencia y una gestión térmica óptimas. Su robusta construcción permite una integración perfecta en convertidores CC/CC, sistemas SAI y aplicaciones de carga de vehículos eléctricos. La hoja de datos preliminar destaca las características eléctricas y mecánicas esenciales, proporcionando especificaciones vitales que se adaptan a entornos industriales exigentes. Ideal para profesionales que buscan calidad y durabilidad, el módulo EasyDUAL destaca como la opción preferida para diseños electrónicos avanzados.

Las bajas pérdidas por conmutación aumentan la eficiencia
Integración de la detección de temperatura en tiempo real
Montaje robusto para mayor estabilidad
El diseño de baja inductividad reduce las interferencias
La tecnología PressFIT simplifica la instalación
Las normas CEI garantizan el cumplimiento y la seguridad

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