MOSFET Infineon FF17MR12W1M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, AG-EASY1B de 23 pines, 2elementos

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Código RS:
284-827
Nº ref. fabric.:
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Serie

EasyDUAL

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B

Conteo de Pines

23

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

2

El módulo MOSFET de Infineon es una solución avanzada de semiconductores de potencia diseñada para optimizar las aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y los sistemas de suministro de potencia. Este módulo integra la tecnología CoolSiC Trench MOSFET, que proporciona una eficiencia inigualable con pérdidas de conmutación mínimas. Es ideal para su uso en convertidores CC/CC, sistemas de alimentación ininterrumpida y soluciones de carga de vehículos eléctricos. Además, el material de interfaz térmica preaplicado garantiza una excelente conductividad térmica, lo que contribuye a mejorar el rendimiento y la longevidad. En conjunto, este módulo representa un equilibrio entre alta fiabilidad e ingeniería innovadora.

El diseño de baja inductividad mejora la velocidad de conmutación
Sensor NTC integrado para la gestión de la temperatura
Cualificado para aplicaciones industriales fiables
El robusto sistema de montaje garantiza la durabilidad
Versátil para diversas aplicaciones de electrónica de potencia

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