MOSFET Infineon IPDQ65R080CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 36 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- Código RS:
- 284-880
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ65R080CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible
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- Código RS:
- 284-880
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ65R080CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 36 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V | |
| Serie | 650V CoolMOS | |
| Tipo de Encapsulado | PG-HDSOP-22 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 22 | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Material del transistor | SiC | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 36 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V | ||
Serie 650V CoolMOS | ||
Tipo de Encapsulado PG-HDSOP-22 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 22 | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Material del transistor SiC | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
El MOSFET de Infineon incorpora una tecnología CoolMOS de última generación, este producto representa un avance significativo en los MOSFET de alto rendimiento. Construido para ampliar la eficiencia a 650 V, supera a su predecesor, CoolMOS CFD2, al mostrar un comportamiento térmico mejorado y un mayor rendimiento de conmutación. Sus excepcionales capacidades le permiten destacar en topologías de conmutación resonante, incluyendo LLC y puente completo con desplazamiento de fase. Diseñado con un diodo de cuerpo rápido, el dispositivo está optimizado para aplicaciones que exigen alta densidad de potencia y fiabilidad. Este producto está totalmente cualificado conforme a las normas JEDEC, lo que garantiza una calidad superior para aplicaciones industriales. Perfecto para desarrolladores tecnológicos e ingenieros que buscan soluciones de vanguardia en aplicaciones de carga de vehículos eléctricos, telecomunicaciones y servidores, este MOSFET establece una nueva referencia en eficiencia energética.
El diodo corporal ultrarrápido aumenta la velocidad
Reduce las pérdidas por conmutación para aumentar la eficiencia
El mejor de su clase en resistencia estatal
Garantiza la robustez durante la conmutación
Margen de seguridad para alta tensión de bus
Admite cargas ligeras
Mejora la eficiencia a plena carga
Optimizado para diseños con desplazamiento de fase
Cumple las normas JEDEC
Reduce las pérdidas por conmutación para aumentar la eficiencia
El mejor de su clase en resistencia estatal
Garantiza la robustez durante la conmutación
Margen de seguridad para alta tensión de bus
Admite cargas ligeras
Mejora la eficiencia a plena carga
Optimizado para diseños con desplazamiento de fase
Cumple las normas JEDEC
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