MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD005N04NM6CGATMA1, VDSS 40 V, ID 610 A, Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 284-925
- Nº ref. fabric.:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
11.940,00 €
(exc. IVA)
14.445,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 29 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 2,388 € | 11.940,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 284-925
- Nº ref. fabric.:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 610A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TTFN-9 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.47mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 129nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 610A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TTFN-9 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.47mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 129nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 6 que combina un rendimiento excepcional con una fiabilidad robusta, lo que lo convierte en una elección TOP para aplicaciones exigentes. Este MOSFET de canal N está diseñado para entornos industriales, proporcionando una tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V y una impresionante corriente nominal de drenaje continuo de hasta 610 A. Este dispositivo semiconductor destaca en la gestión térmica, lo que lo convierte en ideal para ajustes de alta temperatura y alta potencia, lo que facilita una vida útil más larga y un rendimiento constante bajo carga. Con un compromiso de compatibilidad con el medio ambiente, es conforme con RoHS y sin halógenos, alineándose con los estándares ambientales modernos al tiempo que ofrece una calidad de ingeniería superior.
Resistencia térmica excepcional para mayor fiabilidad
Rendimiento robusto en entornos de alta tensión
100% probado contra avalanchas para garantizar la seguridad
Eficiencia excepcional para la gestión de potencia
Cumple la normativa ambiental
Pérdidas de conmutación mínimas para operaciones de alta frecuencia
El diseño compacto reduce el espacio en PCB
Integración sencilla en sistemas industriales
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD063N15NM5CGATMA1 ID 148 A, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQE046N08LM5CGATMA1 ID 99 A, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines