MOSFET Infineon IQD063N15NM5CGATMA1, VDSS 150 V, ID 148 A, PG-TTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
284-938
Nº ref. fabric.:
IQD063N15NM5CGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

148 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Tipo de Encapsulado

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

9

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El transistor de potencia OptiMOS 5 MOSFET de Infineon es un MOSFET avanzado y de alto rendimiento diseñado para ofrecer versatilidad en diversas aplicaciones industriales. Este dispositivo ofrece una eficiencia superior gracias a su bajísima resistencia a la conexión y a su excepcional resistencia térmica, lo que lo hace idóneo para tareas de gestión de energía en las que la fiabilidad es primordial. Su naturaleza robusta garantiza el 100% de las pruebas de avalancha, proporcionando a los usuarios confianza durante su funcionamiento. Con una importante tensión de ruptura y capacidades dinámicas, la serie OptiMOS 5 está diseñada para mejorar los criterios de rendimiento, manteniendo al mismo tiempo el cumplimiento de las normas medioambientales.

Alta eficiencia y baja pérdida de potencia
Gestión térmica superior para una mayor longevidad
Amplia validación de la fiabilidad industrial
Amplio rango de temperaturas de funcionamiento
La baja carga de puerta reduce las pérdidas por conmutación
Rendimiento de conmutación competitivo para PWM
Conforme a RoHS y libre de halógenos

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