MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE046N08LM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines

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Código RS:
285-041
Nº ref. fabric.:
IQE046N08LM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

99A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PG-TSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon dispone de un innovador módulo de potencia diseñado para ofrecer alta eficiencia y fiabilidad en diversas aplicaciones. Con tecnología de vanguardia, garantiza un rendimiento óptimo al tiempo que mantiene un tamaño compacto, lo que lo convierte en ideal para sistemas electrónicos modernos. El diseño robusto del módulo le permite manejar condiciones exigentes, atendiendo a industrias que requieren soluciones de alimentación duraderas y eficientes. Sus excelentes características de gestión térmica y bajas pérdidas de potencia mejoran su funcionalidad, lo que lo convierte en una elección para ingenieros y diseñadores que buscan sostenibilidad y rendimiento. Este producto destaca al integrar versatilidad y facilidad de uso, lo que garantiza una integración perfecta en los sistemas existentes, mientras que sus atributos fáciles de usar elevan la experiencia operativa general.

Maximiza el ahorro de energía con alta eficiencia

Diseño compacto para instalaciones de ahorro de espacio

Estructura duradera para entornos exigentes

El rendimiento térmico optimizado reduce las necesidades de refrigeración

Uso versátil para diversas aplicaciones

Fácil de usar para facilitar la integración

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