MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal onsemi NCV8406DD1CR2G, VDSS 65 V, ID 7 A, Doble, SOIC-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
327-795
Nº ref. fabric.:
NCV8406DD1CR2G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

65V

Encapsulado

SOIC-8

Serie

NCV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

210mΩ

Modo de canal

Doble

Disipación de potencia máxima Pd

1.2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

14V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4mm

Altura

1.75mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-Free

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
PH
El dispositivo ON Semiconductor Dual protected Low-Side Smart Discrete ofrece amplias funciones de protección, como sobrecorriente, sobretemperatura, ESD y bloqueo Drain-to-Gate integrado para protección contra sobretensión. Está diseñado para ofrecer un rendimiento fiable en entornos de automoción difíciles.

cortocircuitos

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