MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL165N10F8AG, VDSS 100 V, ID 158 A, PowerFLAT de 8 pines

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Código RS:
330-476
Nº ref. fabric.:
STL165N10F8AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

158A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

STL

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.2mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

90nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.4mm

Anchura

5.2 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.

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