MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL165N10F8AG, VDSS 100 V, ID 158 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-476
- Nº ref. fabric.:
- STL165N10F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
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| 1 - 9 | 2,92 € |
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| 100 - 499 | 2,42 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 330-476
- Nº ref. fabric.:
- STL165N10F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 158A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.2mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 158A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.2mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
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