MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FB50R07W2E3B23BOMA1, EasyPIM, Reducción, config. Trinchera Igbt 3

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Código RS:
348-972
Nº ref. fabric.:
FB50R07W2E3B23BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Serie

FB50R07W2E3_B23

Encapsulado

EasyPIM

Tipo de montaje

Terminal roscado

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

1.95V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Trinchera Igbt 3

Certificaciones y estándares

IEC 60747, 60749, 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo integrado EasyPIM 2B de 650 V y 50 A para etapa PFC intercalada de Infineon integra un rectificador, un PFC de dos canales y una etapa inversora en un módulo compacto, lo que ofrece una solución que ahorra espacio para aplicaciones de potencia. Diseñado con una inductancia parásita muy baja, garantiza una pérdida de potencia mínima y una mayor eficiencia de conmutación. La tecnología H5 de alta velocidad mejora la etapa PFC, lo que proporciona mayor eficiencia y tiempos de respuesta más rápidos. Este módulo admite frecuencias de conmutación más altas, de hasta 50 kHz, para la etapa PFC, lo que permite un mejor rendimiento en aplicaciones exigentes. El transistor IGBT con la tecnología TrenchStop 3 y los 3 diodos controlados por emisor mejoran aún más la fiabilidad y la eficiencia operativa.

Diseño compacto con paquete Easy 2B

La mejor relación coste-rendimiento, que reduce los costes del sistema

Funcionamiento a alta frecuencia y menor necesidad de refrigeración

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