MOSFET, N-Canal Infineon IMBG120R008M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 189 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-092
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 349-092
- Nº ref. fabric.:
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 189A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | IMB | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 800W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 195nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Longitud | 15mm | |
| Altura | 4.5mm | |
| Anchura | 10.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 189A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie IMB | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 800W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Longitud 15mm | ||
Altura 4.5mm | ||
Anchura 10.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie IMB de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 1200 V, corriente de drenaje continua de 189 A - IMBG120R008M2HXTMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para entornos de conmutación de potencia exigentes. Está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un manejo de corriente considerable y una tolerancia de temperatura elevada. El componente cumple las convenciones de encapsulado de la industria reconocidas y es adecuado para su uso en etapas de potencia industrial que requieren una capacidad de conducción y conmutación robusta.
Características y ventajas:
• La disipación de potencia de 800 W permite un funcionamiento de alta potencia sostenido
• El valor nominal de drenaje-fuente de 1200 V admite topologías de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 189 A permite la conducción de cargas pesadas
• La Rds(on) de 21 mΩ proporciona bajas pérdidas de conducción bajo carga
• Carga de puerta típica de 195 nC adecuada para conmutación de alta energía
• El encapsulado PG-TO263-7 de 7 contactos simplifica el montaje en superficie de alta potencia
• El valor nominal de drenaje-fuente de 1200 V admite topologías de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 189 A permite la conducción de cargas pesadas
• La Rds(on) de 21 mΩ proporciona bajas pérdidas de conducción bajo carga
• Carga de puerta típica de 195 nC adecuada para conmutación de alta energía
• El encapsulado PG-TO263-7 de 7 contactos simplifica el montaje en superficie de alta potencia
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de inversor y convertidor industriales
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Se utiliza con módulos de alimentación de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Puede utilizarse para electrónica de potencia de energía renovable
• Apto para circuitos de conmutación de alta energía y conmutación rápida
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Se utiliza con módulos de alimentación de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Puede utilizarse para electrónica de potencia de energía renovable
• Apto para circuitos de conmutación de alta energía y conmutación rápida
¿En qué rango térmico puede funcionar en condiciones hostiles?
Funciona desde -55 °C hasta 200 °C, lo que permite su despliegue en entornos térmicos extremos.
¿Cómo afecta el tipo de encapsulado al montaje en las placas de producción?
El formato de montaje en superficie PG-TO263-7 proporciona una solución compacta de perfil bajo optimizada para la conexión automatizada de soldadura y disipador de calor.
¿Cuál es la resistencia a la tensión de puerta para las interfaces de control?
El dispositivo permite tensiones de puerta de hasta 25 V, lo que permite la compatibilidad con salidas de controlador de puerta comunes.
¿Es este dispositivo de tipo mejora o agotamiento de canales?
Se trata de un transistor de modo de mejora de canal N adecuado para topologías de conmutación accionadas por puerta convencionales.
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