MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R053M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 29 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-102
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R053M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
10,16 €
(exc. IVA)
12,29 €
(inc.IVA)
Añade 8 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 1000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,16 € |
| 10 - 99 | 9,15 € |
| 100 - 499 | 8,43 € |
| 500 - 999 | 7,83 € |
| 1000 + | 7,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-102
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R053M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 205W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Altura | 4.5mm | |
| Anchura | 10.2 mm | |
| Longitud | 15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 205W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Altura 4.5mm | ||
Anchura 10.2 mm | ||
Longitud 15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este CoolSiC 1200 V SiC G2 de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento diseñado para una eficiencia superior con pérdidas de conmutación muy bajas. Con un tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 μs, el dispositivo proporciona una protección robusta contra condiciones de fallo. La tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,2 V garantiza un rendimiento de conmutación óptimo, lo que lo convierte en una opción excelente para aplicaciones de potencia exigentes que requieren alta eficiencia y fiabilidad.
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
Mejor eficiencia energética
Optimización de la refrigeración
Mayor densidad de potencia
Nuevas características de robustez
Altamente fiable
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines