MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R026M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 53 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-098
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R026M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-098
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R026M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 53A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 68mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 335W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 4.5mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Anchura | 10.2 mm | |
| Longitud | 15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 53A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 68mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 335W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 4.5mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Anchura 10.2 mm | ||
Longitud 15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este CoolSiC 1200 V SiC G2 de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento diseñado para una eficiencia superior con pérdidas de conmutación muy bajas. Con un tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 μs, el dispositivo proporciona una protección robusta contra condiciones de fallo. La tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,2 V garantiza un rendimiento de conmutación óptimo, lo que lo convierte en una opción excelente para aplicaciones de potencia exigentes que requieren alta eficiencia y fiabilidad.
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
Mejor eficiencia energética
Optimización de la refrigeración
Mayor densidad de potencia
Nuevas características de robustez
Altamente fiable
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