MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R050M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 38 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 349-338
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R050M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
9,62 €
(exc. IVA)
11,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 240 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,62 € |
| 10 - 99 | 8,65 € |
| 100 - 499 | 7,98 € |
| 500 - 999 | 7,41 € |
| 1000 + | 6,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-338
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R050M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 62mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 153W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 62mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 153W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET CoolSiC G2 de 650 V de Infineon se basa en la robusta tecnología Trench de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, que ofrece un rendimiento sin igual, una fiabilidad superior y facilidad de uso. Este MOSFET avanzado permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados que responden a las necesidades cada vez mayores de los sistemas y mercados de potencia modernos. Ofrece una potente solución para lograr una eficiencia superior del sistema en diversas aplicaciones, ya que garantiza un rendimiento óptimo en entornos exigentes.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
Tensión de excitación flexible y compatible con el esquema de control bipolar
Funcionamiento robusto del diodo de cuerpo en caso de conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines