MOSFET, N-Canal Infineon IMZA65R015M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 103 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 349-334
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
20,94 €
(exc. IVA)
25,34 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 240 Envío desde el 12 de agosto de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 20,94 € |
| 10 - 99 | 18,84 € |
| 100 + | 17,39 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-334
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 103A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 103A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie CoolSiC de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 103 A - IMZA65R015M2HXKSA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de carburo de silicio diseñado para conmutación de alta tensión en entornos industriales exigentes. Funciona como dispositivo de mejora de canal N y se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO247-4 de cuatro contactos adecuado para disipadores de calor y métodos de montaje convencionales. El componente admite un funcionamiento continuo de alta corriente y está especificado para un uso a gran temperatura, lo que lo convierte en adecuado para sistemas que requieren un manejo de potencia sostenido a temperaturas de unión elevadas.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 103 A admite cargas de corriente pesada
• La RDS(on) de 18 mΩ reduce las pérdidas por conducción para una mayor eficiencia
• La carga de puerta típica de 79 nC proporciona un comportamiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia máxima de 341 W permite una carga térmica sustancial
• Valor nominal de -55 °C a 175 °C para funcionar a temperaturas extremas
• La corriente de drenaje continua de 103 A admite cargas de corriente pesada
• La RDS(on) de 18 mΩ reduce las pérdidas por conducción para una mayor eficiencia
• La carga de puerta típica de 79 nC proporciona un comportamiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia máxima de 341 W permite una carga térmica sustancial
• Valor nominal de -55 °C a 175 °C para funcionar a temperaturas extremas
Aplicaciones
• Apto para etapas de potencia de accionamiento de motores industriales
• Ideal para fuentes de alimentación de alta tensión e inversores
• Se utiliza con conjuntos de disipador térmico robustos en convertidores
• Se puede utilizar para sistemas de conversión dc-dc de alta corriente
• Adecuado para la sustitución en electrónica de potencia de orificio pasante
• Ideal para fuentes de alimentación de alta tensión e inversores
• Se utiliza con conjuntos de disipador térmico robustos en convertidores
• Se puede utilizar para sistemas de conversión dc-dc de alta corriente
• Adecuado para la sustitución en electrónica de potencia de orificio pasante
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado PG-TO247-4 con montaje de orificio pasante para fijación de disipador térmico soldado o atornillado.
¿Cómo afecta la especificación de la puerta al diseño de conmutación?
La carga de puerta típica de 79 nC indica la energía de accionamiento de puerta y influye en la fuerza del controlador elegido y las concesiones de velocidad de conmutación.
¿Qué límites térmicos deben tener en cuenta los diseñadores?
El dispositivo puede disipar hasta 341 W en condiciones especificadas y está diseñado para funcionar a hasta 175 °C para diseños de sistemas de alta temperatura.
¿Es adecuado para los requisitos estándar de automoción?
No se especifica que cumpla las homologaciones de los estándares de automoción y debe evaluarse frente a las necesidades de certificación de automoción.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines