MOSFET, N-Canal Infineon IMZA65R020M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 83 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 349-335
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R020M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-335
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 83A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 57nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 273W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 83A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 57nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 273W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie CoolSiC de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 83 A - IMZA65R020M2HXKSA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de carburo de silicio diseñado para conmutación de alta tensión en sistemas de electrónica de potencia. Funciona como un dispositivo de mejora de canal N para convertir y controlar la energía eléctrica donde se requiere eficiencia y resistencia térmica. El componente se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO247-4 diseñado para un montaje robusto y disipación de calor en conjuntos electrónicos exigentes.
Características y ventajas:
• La capacidad de bloqueo de 650 V admite diseños de alta tensión
• La baja Rds(on) de 24 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua de 83 A permite un funcionamiento de alta corriente
• La disipación de potencia de 273 W ayuda a la gestión térmica
• La carga de puerta típica de 57 nC proporciona transiciones de conmutación más rápidas
• El rango de temperatura nominal de -55 a 175 °C amplía el rango de funcionamiento
• La baja Rds(on) de 24 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua de 83 A permite un funcionamiento de alta corriente
• La disipación de potencia de 273 W ayuda a la gestión térmica
• La carga de puerta típica de 57 nC proporciona transiciones de conmutación más rápidas
• El rango de temperatura nominal de -55 a 175 °C amplía el rango de funcionamiento
Aplicaciones
• Apto para accionamientos de motores e inversores industriales
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza con etapas de potencia de tracción o energía renovable
• Se puede utilizar para conversión dc-dc de conmutación rápida
• Adecuado para sistemas de baterías que requieren un manejo de alta corriente
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza con etapas de potencia de tracción o energía renovable
• Se puede utilizar para conversión dc-dc de conmutación rápida
• Adecuado para sistemas de baterías que requieren un manejo de alta corriente
¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
El dispositivo no debe accionarse más allá de una tensión máxima de puerta a fuente de 23 V para evitar sobretensión de puerta.
¿Cómo afecta el encapsulado al enrutamiento térmico en una placa?
El formato de orificio pasante PG-TO247-4 permite la fijación directa del disipador térmico y una inserción térmica directa a través de la placa para mejorar la disipación.
¿Qué comportamiento de conmutación se puede esperar del valor de carga de puerta?
Una carga de puerta típica de 57 nC indica requisitos de energía de accionamiento de puerta moderados, equilibrando la velocidad de conmutación y las necesidades de corriente de accionamiento.
¿Qué modo de conducción de canal se aplica durante el funcionamiento?
El transistor funciona como un dispositivo de canal N de modo de mejora, que requiere un accionamiento de puerta positivo para conducir.
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