Módulo de potencia SiC Semikron Danfoss SK150MB120CR03TE2, VDSS 1.2 kV, ID 185 A, SEMITOP E2
- Código RS:
- 351-858
- Nº ref. fabric.:
- SK150MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 351-858
- Nº ref. fabric.:
- SK150MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 185A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | SEMITOP | |
| Encapsulado | SEMITOP E2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 472nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Anchura | 57mm | |
| Longitud | 63mm | |
| Altura | 12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 185A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie SEMITOP | ||
Encapsulado SEMITOP E2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 472nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Anchura 57mm | ||
Longitud 63mm | ||
Altura 12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IT
El semipuente Semikron SiC MOSFET WS tiene una corriente nominal de 185 A y es fácil de controlar con una tensión de puerta de +15 V. Ofrece una estabilidad de conmutación optimizada con resistencias de puerta integradas en el módulo e incluye un sensor de temperatura NTC integrado para una supervisión térmica eficaz. Reconocido por UL con el n.º de expediente E63532.
Diseño optimizado para un rendimiento térmico superior
Diseño de inductancia extremadamente baja
Tecnología de contacto Press Fit
mOSFET SiC planar Gen3 de 1200 V
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