Módulo de potencia SiC Semikron Danfoss SK250MB120CR03TE2, VDSS 1.2 kV, ID 267 A, SEMITOP E2
- Código RS:
- 351-860
- Nº ref. fabric.:
- SK250MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 351-860
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- SK250MB120CR03TE2
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- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 267A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Encapsulado | SEMITOP E2 | |
| Serie | SEMITOP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.2mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15V | |
| Tensión directa Vf | 4.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 708nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747-1, UL | |
| Longitud | 63mm | |
| Altura | 12mm | |
| Anchura | 57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 267A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Encapsulado SEMITOP E2 | ||
Serie SEMITOP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.2mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15V | ||
Tensión directa Vf 4.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 708nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747-1, UL | ||
Longitud 63mm | ||
Altura 12mm | ||
Anchura 57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IT
El semipuente Semikron SiC MOSFET WS tiene una corriente nominal de 267 A y es fácil de controlar con una tensión de puerta de +15 V. Ofrece una estabilidad de conmutación optimizada con resistencias de puerta integradas en el módulo e incluye un sensor de temperatura NTC integrado para una supervisión térmica eficaz. Reconocido por UL con el n.º de expediente E63532.
Diseño optimizado para un rendimiento térmico superior
Diseño de inductancia extremadamente baja
Tecnología de contacto Press Fit
mOSFET SiC planar Gen3 de 1200 V
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