Módulo de potencia SiC Semikron Danfoss SK200MB120CR03TE2, VDSS 1200 V, ID 223 A, SEMITOP E2
- Código RS:
- 351-859
- Nº ref. fabric.:
- SK200MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 351-859
- Nº ref. fabric.:
- SK200MB120CR03TE2
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 223A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | SEMITOP E2 | |
| Serie | SEMITOP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 590nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Tensión directa Vf | 4.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 12mm | |
| Longitud | 63mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61340/UL | |
| Anchura | 57 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 223A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado SEMITOP E2 | ||
Serie SEMITOP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 590nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Tensión directa Vf 4.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 12mm | ||
Longitud 63mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61340/UL | ||
Anchura 57 mm | ||
- COO (País de Origen):
- IT
El semipuente Semikron SiC MOSFET WS tiene una corriente nominal de 223 A y es fácil de controlar con una tensión de puerta de +15 V. Ofrece una estabilidad de conmutación optimizada con resistencias de puerta integradas en el módulo e incluye un sensor de temperatura NTC integrado para una supervisión térmica eficaz. Reconocido por UL con el n.º de expediente E63532.
Diseño optimizado para un rendimiento térmico superior
Diseño de inductancia extremadamente baja
Tecnología de contacto Press Fit
mOSFET SiC planar Gen3 de 1200 V
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