MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG65R010M2H, VDSS 650 V, ID 158 A, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines

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Código RS:
351-964
Nº ref. fabric.:
IMBG65R010M2H
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

158A

Potencia de salida

535W

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO263-7

Serie

IMBG65

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.2mm

Anchura

9.45 mm

Certificaciones y estándares

JEDEC

Altura

4.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET CoolSiC G2 en un encapsulado D2PAK-7 de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación y permite un diseño acelerado de sistemas con soluciones más rentables, eficientes, compactas y fiables. La segunda generación incorpora mejoras significativas en las figuras de mérito clave, tanto para el funcionamiento de conmutación dura como para las topologías de conmutación suave, adecuadas para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.

Permite ahorros en la lista de materiales (BOM)

Máxima fiabilidad

Máxima eficiencia y densidad energética

Facilidad de uso

Compatibilidad completa con los proveedores existentes

Permite diseños sin ventilador ni disipador

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