MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG65R010M2H, VDSS 650 V, ID 158 A, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 351-964
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R010M2H
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
26,52 €
(exc. IVA)
32,09 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 950 unidad(es) más para enviar a partir del 09 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 26,52 € |
| 10 - 99 | 23,87 € |
| 100 + | 22,01 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-964
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R010M2H
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 158A | |
| Potencia de salida | 535W | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMBG65 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 158A | ||
Potencia de salida 535W | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie IMBG65 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC G2 en un encapsulado D2PAK-7 de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación y permite un diseño acelerado de sistemas con soluciones más rentables, eficientes, compactas y fiables. La segunda generación incorpora mejoras significativas en las figuras de mérito clave, tanto para el funcionamiento de conmutación dura como para las topologías de conmutación suave, adecuadas para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.
Permite ahorros en la lista de materiales (BOM)
Máxima fiabilidad
Máxima eficiencia y densidad energética
Facilidad de uso
Compatibilidad completa con los proveedores existentes
Permite diseños sin ventilador ni disipador
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon VDSS 650 V Mejora de 7 pines, 1
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO263-7, Mejora de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO263-7, Mejora de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO263-7, Mejora de 7 pines