MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IGC033S10S1XTMA1, VDSS 100 V, ID 76 A, Mejora, PG-VSON-6 de 6 pines

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Código RS:
351-971
Nº ref. fabric.:
IGC033S10S1XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

76A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PG-VSON-6

Serie

IGC033

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5.5 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.1 mm

Certificaciones y estándares

JEDEC

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este transistor CoolGaN de Infineon es un transistor de potencia e-mode normalmente apagado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3 x 5, que permite diseños de alta densidad de potencia. Gracias a su baja resistencia en estado de encendido, es la elección ideal para un rendimiento fiable en aplicaciones exigentes de alta tensión y alta corriente.

La mejor densidad de potencia de su clase

Máxima eficiencia

Gestión térmica mejorada

Posibilidad de diseños más pequeños y ligeros

Excelente fiabilidad

Reduce el coste de la lista de materiales (BOM)

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