MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IGC033S101XTMA1, VDSS 100 V, ID 76 A, Mejora, PG-VSON-6 de 6 pines
- Código RS:
- 351-970
- Nº ref. fabric.:
- IGC033S101XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 20 - 198 | 3,745 € | 7,49 € |
| 200 - 998 | 3,445 € | 6,89 € |
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- Código RS:
- 351-970
- Nº ref. fabric.:
- IGC033S101XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 76A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-VSON-6 | |
| Serie | IGC033 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 76A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-VSON-6 | ||
Serie IGC033 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie IGC033 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje continua de 76 A - IGC033S101XTMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para conmutación de potencia en diseños de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango térmico y cumple con JEDEC, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones de alta corriente en las que se requiere una integración de encapsulado compacto.
Características y ventajas:
• Rds(on) muy baja de 3,3 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Puede soportar una corriente de drenaje continua de 76 A para cargas pesadas
• Fuente de drenaje nominal de 100 V para conmutación de alta tensión
• Disipación de potencia máxima de 45 W para cabecera térmica
• Carga de puerta típica de 11 nC que permite un accionamiento de puerta eficiente
• Encapsulado PG‐VSON‐6 de montaje en superficie para diseños que ahorran espacio
• Puede soportar una corriente de drenaje continua de 76 A para cargas pesadas
• Fuente de drenaje nominal de 100 V para conmutación de alta tensión
• Disipación de potencia máxima de 45 W para cabecera térmica
• Carga de puerta típica de 11 nC que permite un accionamiento de puerta eficiente
• Encapsulado PG‐VSON‐6 de montaje en superficie para diseños que ahorran espacio
Aplicaciones
• Apto para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de conversión dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con controladores de motor que requieren interruptores compactos
• Se puede utilizar para distribución de potencia de servidores y telecomunicaciones
• Compatible con sistemas de gestión de baterías en equipos industriales
• Ideal para etapas de conversión dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con controladores de motor que requieren interruptores compactos
• Se puede utilizar para distribución de potencia de servidores y telecomunicaciones
• Compatible con sistemas de gestión de baterías en equipos industriales
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo admitir en los diseños?
El dispositivo presenta una carga de puerta típica de 11 nC, por lo que los controladores de puerta deben suministrar una corriente de pico suficiente para lograr la velocidad de conmutación necesaria al tiempo que controlan dV/dt para limitar las interferencias electromagnéticas.
¿Cómo afecta el rendimiento térmico al diseño de la placa de circuito impreso?
Con un techo de disipación de potencia de 45 W, se recomiendan vias térmicas y una propagación de calor de cobre para gestionar la temperatura de unión, especialmente a altas corrientes continuas.
¿Qué restricciones de tensión y polaridad se aplican a la puerta?
El valor nominal máximo de puerta a fuente es de 5,5 V, por lo que la unidad de puerta no debe superar este diferencial para evitar la tensión del dispositivo.
¿Hay límites ambientales para el despliegue?
El dispositivo está diseñado para funcionar de -40 °C a 150 °C, por lo que la selección de componentes y el diseño térmico deben adaptarse a este rango para un funcionamiento fiable.
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