MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL65R099C7AUMA1, VDSS 700 V, ID 21 A, Mejora, PG-VSON-4 de 4 pines
- Código RS:
- 273-2789
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R099C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
6.633,00 €
(exc. IVA)
8.025,00 €
(inc.IVA)
Añade 3000 unidades para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 01 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,211 € | 6.633,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-2789
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R099C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | PG-VSON-4 | |
| Serie | IPL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 128W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado PG-VSON-4 | ||
Serie IPL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 128W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia de 650 V de la serie CoolMOS C7. CoolMOS de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión diseñada según el principio de superunión y con las tecnologías de Infineon como pioneras. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta clase. La cartera de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de superunión de conmutación rápida que ofrecen una mejor eficiencia, una carga de compuerta reducida, una puesta en funcionamiento sencilla y una fiabilidad excepcional.
Chapado sin plomo
Conformidad con RUSP
Pérdidas de conmutación más bajas
Aumenta la densidad de potencia
Permite una frecuencia más alta
Compuesto moldeado sin halógenos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, PG-VSON-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, PG-VSON-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, PG-VSON-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-VSON-6 de 6 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-VSON-6 de 6 pines
- Infineon Rectificador y diodo Schottky 650 V, PG-VSON-4
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PG-VSON-6 de 6 pines
- Infineon Rectificador y diodo Schottky 650 V 5 pines
