MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL65R230C7AUMA1, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, PG-VSON-4 de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

7.257,00 €

(exc. IVA)

8.781,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +2,419 €7.257,00 €

*precio indicativo

Código RS:
273-5349
Nº ref. fabric.:
IPL65R230C7AUMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

PG-VSON-4

Serie

CoolMOS C7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.23Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

67W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC(J-STD20 andJESD22)

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon está construido con la revolucionaria tecnología CoolMOSTM para MOSFET de potencia de alta tensión. Está diseñado de acuerdo con el principio de superunión y es pionero de Infineon Technologies. La serie CoolMOSTM C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta clase. La cartera de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de superunión de conmutación rápida que ofrecen una mejor eficiencia, una carga de puerta reducida, una implementación sencilla y una fiabilidad excepcional.

Sin halógenos

Mejor eficiencia

Chapado sin plomo

Alta densidad de potencia

Mejor control de la puerta

Enlaces relacionados