MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL65R230C7AUMA1, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, PG-VSON-4 de 4 pines

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Código RS:
273-5349
Nº ref. fabric.:
IPL65R230C7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

PG-VSON-4

Serie

CoolMOS C7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.23Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

67W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC(J-STD20 andJESD22)

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon está construido con la revolucionaria tecnología CoolMOSTM para MOSFET de potencia de alta tensión. Está diseñado de acuerdo con el principio de superunión y es pionero de Infineon Technologies. La serie CoolMOSTM C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta clase. La cartera de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de superunión de conmutación rápida que ofrecen una mejor eficiencia, una carga de puerta reducida, una implementación sencilla y una fiabilidad excepcional.

Sin halógenos

Mejor eficiencia

Chapado sin plomo

Alta densidad de potencia

Mejor control de la puerta

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