MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, PG-VSON-4 de 4 pines
- Código RS:
- 273-5350
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R230C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 2,075 € | 4,15 € |
| 50 - 98 | 1,73 € | 3,46 € |
| 100 - 248 | 1,60 € | 3,20 € |
| 250 - 998 | 1,48 € | 2,96 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 273-5350
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R230C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | PG-VSON-4 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.23Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 67W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC(J-STD20 andJESD22) | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado PG-VSON-4 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.23Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 67W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC(J-STD20 andJESD22) | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon está construido con la revolucionaria tecnología CoolMOSTM para MOSFET de potencia de alta tensión. Está diseñado de acuerdo con el principio de superunión y es pionero de Infineon Technologies. La serie CoolMOSTM C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta clase. La cartera de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de superunión de conmutación rápida que ofrecen una mejor eficiencia, una carga de puerta reducida, una implementación sencilla y una fiabilidad excepcional.
Sin halógenos
Mejor eficiencia
Chapado sin plomo
Alta densidad de potencia
Mejor control de la puerta
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