Mosfet de SiC sin diodo, Interruptor único-Canal Starpower DM400S12TDRB, VDSS 1200 V, ID 64 A, N, Cinta y carrete de 4
- Código RS:
- 427-757
- Nº ref. fabric.:
- DM400S12TDRB
- Fabricante:
- Starpower
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
11,32 €
(exc. IVA)
13,70 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 30 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 11,32 € |
| 10 - 99 | 10,19 € |
| 100 - 499 | 9,39 € |
| 500 - 999 | 8,71 € |
| 1000 + | 7,09 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 427-757
- Nº ref. fabric.:
- DM400S12TDRB
- Fabricante:
- Starpower
Especificaciones
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Tipo de canal | Interruptor único | |
| Tipo de producto | Mosfet de SiC sin diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | DOSEMI | |
| Encapsulado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 55.2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 268W | |
| Tensión directa Vf | 3.85V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Tipo de canal Interruptor único | ||
Tipo de producto Mosfet de SiC sin diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie DOSEMI | ||
Encapsulado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55.2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 268W | ||
Tensión directa Vf 3.85V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia discreta Starpower proporciona una pérdida de conducción muy baja, así como una pérdida de conmutación baja. Están diseñados para aplicaciones como vehículos híbridos y eléctricos.
MOSFET de potencia SiC
RDS(on) baja
La caja de baja inductancia evita las oscilaciones
ROHS
Enlaces relacionados
- Mosfet de SiC sin diodo VDSS 1200 V N, Cinta y carrete de 4
- Mosfet de SiC sin diodo VDSS 1200 V N, Cinta y carrete de 4
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- Cinta Carrete limpiador Tempo REEL-CLN, Carrete de 140 g
- Módulo de potencia SiC Semikron Danfoss SKKD80S12, VDSS 1200 V
- Cinta Bobina de recambio para limpiador de carrete Fujikura FCC-R, Carrete para 400 aplicaciones
- Módulo de potencia SiC onsemi F1-2PACK