Mosfet de SiC sin diodo, Interruptor único-Canal Starpower DM800S12TDRB, VDSS 1200 V, ID 37 A, N, Cinta y carrete de 4

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Código RS:
427-759
Nº ref. fabric.:
DM800S12TDRB
Fabricante:
Starpower
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Marca

Starpower

Tipo de producto

Mosfet de SiC sin diodo

Tipo de canal

Interruptor único

Corriente continua máxima de drenaje ld

37A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Cinta y carrete

Serie

DOSEMI

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

105mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

162W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión directa Vf

4.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia discreta Starpower proporciona una pérdida de conducción ultrabaja, así como una pérdida de conmutación baja. Están diseñados para aplicaciones como vehículos híbridos y eléctricos.

MOSFET de potencia SiC

RDS(on) baja

La caja de baja inductancia evita las oscilaciones

ROHS

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