Mosfet de SiC sin diodo, Interruptor único-Canal Starpower DM800S12TDRB, VDSS 1200 V, ID 37 A, Mejora, Cinta y carrete
- Código RS:
- 427-759
- Nº ref. fabric.:
- DM800S12TDRB
- Fabricante:
- Starpower
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- Código RS:
- 427-759
- Nº ref. fabric.:
- DM800S12TDRB
- Fabricante:
- Starpower
Especificaciones
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Tipo de producto | Mosfet de SiC sin diodo | |
| Tipo de canal | Interruptor único | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | DOSEMI | |
| Encapsulado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 105mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 162W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión directa Vf | 4.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Tipo de producto Mosfet de SiC sin diodo | ||
Tipo de canal Interruptor único | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie DOSEMI | ||
Encapsulado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 105mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 162W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión directa Vf 4.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia discreta Starpower proporciona una pérdida de conducción ultrabaja, así como una pérdida de conmutación baja. Están diseñados para aplicaciones como vehículos híbridos y eléctricos.
MOSFET de potencia SiC
RDS(on) baja
La caja de baja inductancia evita las oscilaciones
ROHS
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