Mosfet de SiC sin diodo, Interruptor único-Canal Starpower DM170S12TDRB, VDSS 1200 V, ID 118 A, N, Cinta y carrete de 4

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

20,34 €

(exc. IVA)

24,61 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 27 unidad(es) más para enviar a partir del 22 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 920,34 €
10 - 9918,30 €
100 +16,88 €

*precio indicativo

Código RS:
427-760
Nº ref. fabric.:
DM170S12TDRB
Fabricante:
Starpower
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Starpower

Tipo de canal

Interruptor único

Tipo de producto

Mosfet de SiC sin diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

118A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Cinta y carrete

Serie

DOSEMI

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29.0mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

355W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

19 V

Tensión directa Vf

3.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia discreta Starpower proporciona una pérdida de conducción muy baja, así como una pérdida de conmutación baja. Están diseñados para aplicaciones como vehículos híbridos y eléctricos.

MOSFET de potencia SiC

RDS(on) baja

Tecnología de sinterización de chip

La caja de baja inductancia evita las oscilaciones

ROHS

Enlaces relacionados