MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip TN0106N3-G, VDSS 60 V, ID 3.4 A, Mejora, TO-92 de 3 pines

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Código RS:
598-395
Nº ref. fabric.:
TN0106N3-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-92

Serie

TN0106

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

0.82in

Longitud

0.205in

Anchura

0.165 in

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor vertical de umbral bajo de modo de mejora de canal N de Microchip está construido utilizando una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien establecido. Este diseño combina las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS. Al igual que todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente.

Velocidad de conmutación rápida

Resistencia de conexión baja

Libre de averías secundarias

Baja fuga de entrada y salida

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