MOSFET Microchip TN0106N3-G, VDSS 60 V, ID 350 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante Microchip Technology es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 3ohms a una tensión de fuente de puerta de 10V. Tiene una tensión de fuente de drenaje de 60V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V. Tiene una corriente de drenaje continua de 350mA y una disipación de potencia máxima de 1W. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este MOSFET es de 4,5 V y 10V respectivamente. El MOSFET es un transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) que utiliza una estructura vertical DMOS y un proceso de fabricación de puerta de silicona bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Una característica significativa de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de un escape térmico y una ruptura secundaria inducida por calor. Este FET vertical DMOS se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Facilidad de conexión en paralelo
• excelente estabilidad térmica
• libre de averías secundarias
• impedancia de entrada alta y ganancia alta
• diodo de drenaje de fuente integral
• CISS baja y velocidades de conmutación rápidas
• requisito de accionamiento de baja potencia
• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.

• interruptores analógicos
• sistemas que funcionan con baterías
• Controladores de línea de uso general
• interfaces de nivel lógico: Ideales para TTL y CMOS
• Foto voltaicas unidades
• Relés de estado sólido
• conmutadores de telecomunicaciones

• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• JEDEC