MOSFET onsemi 2N7000TA, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 739-0224
- Nº ref. fabric.:
- 2N7000TA
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
2,53 €
(exc. IVA)
3,06 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,253 € | 2,53 € |
| 100 - 990 | 0,16 € | 1,60 € |
| 1000 - 2490 | 0,148 € | 1,48 € |
| 2500 - 9990 | 0,132 € | 1,32 € |
| 10000 + | 0,128 € | 1,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 739-0224
- Nº ref. fabric.:
- 2N7000TA
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 200 mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 400 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Ancho | 4.19mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Altura | 5.33mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 200 mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 5 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 400 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 5.2mm | ||
Ancho 4.19mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Altura 5.33mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET Microchip VN0104N3-G ID 350 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip TN0106N3-G ID 350 mA , config. Simple
- MOSFET onsemi FQT3P20TF ID 670 mA , config. Simple
- MOSFET onsemi 2N7002ET ID 260 mA , config. Simple
- MOSFET VDSS 25 V CPH de 6 pines, config. Simple
- MOSFET onsemi FDY300NZ ID 600 mA , config. Simple
- MOSFET onsemi FDY302NZ ID 600 mA , config. Simple