MOSFET onsemi 2N7000TA, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 739-0224
- Nº ref. fabric.:
- 2N7000TA
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 739-0224
- Nº ref. fabric.:
- 2N7000TA
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 200 mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 400 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 4.19mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 200 mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 5 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 400 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Material del transistor Si | ||
Longitud 5.2mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 4.19mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
MOSFET de potencia avanzado, Fairchild Semiconductor
Tecnología resistente a avalanchas
Tecnología de óxido de compuerta resistente
Capacitancia de entrada inferior
Carga de puerta mejorada
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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