MOSFET Microchip VN0104N3-G, VDSS 40 V, ID 350 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
177-9704
Nº ref. fabric.:
VN0104N3-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

350 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

TO-92

Serie

VN0104

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

1 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4.06mm

Longitud

5.08mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

5.33mm

Tensión de diodo directa

1.8V

COO (País de Origen):
TW
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta

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