Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Microchip
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	350 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
	Serie	VN0104
	Tipo de Encapsulado	TO-92
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 Ω
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
	Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
	Disipación de Potencia Máxima	1 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	20 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Longitud	5.08mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Ancho	4.06mm
	Altura	5.33mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tensión de diodo directa	1.8V

	Seleccionar todo
	Marca Microchip
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 350 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V
	Serie VN0104
	Tipo de Encapsulado TO-92
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 5 Ω
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2.4V
	Tensión de umbral de puerta mínima 0.8V
	Disipación de Potencia Máxima 1 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente 20 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Longitud 5.08mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Ancho 4.06mm
	Altura 5.33mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tensión de diodo directa 1.8V

MOSFET Microchip VN0104N3-G, VDSS 40 V, ID 350 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

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