MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip TP5322K1-G, VDSS 40 V, ID 450 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- Código RS:
- 598-471
- Nº ref. fabric.:
- TP5322K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2.028,00 €
(exc. IVA)
2.454,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 02 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,676 € | 2.028,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 598-471
- Nº ref. fabric.:
- TP5322K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | FET DMOS vertical de canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 450mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TP5322 | |
| Encapsulado | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.2mm | |
| Anchura | 4.2mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal FET DMOS vertical de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 450mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TP5322 | ||
Encapsulado TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.2mm | ||
Anchura 4.2mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
El transistor vertical de modo de mejora de canal P de Microchip es un dispositivo de umbral bajo y normalmente apagado que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación proporciona las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, junto con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo característicos de los dispositivos MOS.
Alta impedancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Resistencia de conexión baja
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-92-3
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-92-3