MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip TN0620N3-G, VDSS 40 V, ID 450 mA, Modo de mejora, TO-92-3

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Código RS:
598-650
Nº ref. fabric.:
TN0620N3-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

FET DMOS vertical de canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

450mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-92-3 (TO-226AA)

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

4.2mm

Anchura

4.2 mm

Altura

5.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El transistor vertical de umbral bajo de modo de mejora de canal N de Microchip está construido utilizando una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien establecido. Este diseño combina las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS. Al igual que todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente.

Velocidad de conmutación rápida

Resistencia de conexión baja

Libre de averías secundarias

Baja fuga de entrada y salida

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