MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip TN0104N8-G, VDSS 40 V, ID 450 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- Código RS:
- 598-673
- Nº ref. fabric.:
- TN0104N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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- 598-673
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- TN0104N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | FET DMOS vertical de canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 450mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 4.2mm | |
| Anchura | 4.2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal FET DMOS vertical de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 450mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 4.2mm | ||
Anchura 4.2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor vertical de umbral bajo de modo de mejora de canal N de Microchip está construido utilizando una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien establecido. Este diseño combina las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS. Al igual que todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente.
Velocidad de conmutación rápida
Resistencia de conexión baja
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
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