MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip LND250K1-G, VDSS 9 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, SOT-23-5 de

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Código RS:
598-794
Nº ref. fabric.:
LND250K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

FET DMOS de canal N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

350mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

9V

Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Modo de agotamiento

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Altura

1.3mm

Anchura

1.75 mm

Longitud

3.05mm

Certificaciones y estándares

RoHS, ISO/TS‑16949

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
El transistor de modo de agotamiento de canal N de alta tensión (normalmente encendido) de Microchip utiliza la tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida contra ESD. El LND250 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y amplificación.

Libre de averías secundarias

Necesidad de accionamiento de baja potencia

Facilidad de paralelismo

Excelente estabilidad térmica

Diodo de drenaje de fuente integrado

Alta impedancia de entrada y bajo CISS

Protección de puerta ESD

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