MOSFET RF, Tipo N-Canal Microchip DN2470K4-G, VDSS 700 V, ID 170 mA, TO-252, Reducción de 3 pines

El transistor de modo de agotamiento de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. El FET DMOS vertical es ideal para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se desean una tensión de umbral muy baja, una alta tensión de ruptura, una alta impedancia de entrada, una baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Alta impedancia de entrada