MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD13N60M6, VDSS 480 V, ID 10 A, Reducción, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
202-4809
Nº ref. fabric.:
STD13N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

480V

Serie

STD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

92W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

10.1mm

Longitud

6.6mm

Anchura

2.4 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET STMicroelectronics de potencia de canal N MDmesh M6 en un encapsulado DPAK tiene pérdidas de conmutación reducidas. También tiene una RDS(on) menor por área frente a la generación anterior.

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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