MOSFET Microchip DN2540N8-G, VDSS 400 V, ID 170 mA, TO-243AA de 3 pines, , config. Simple

El DN2540 es un transistor de modo de vaciado de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Características adicionales:
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Sin ruptura secundaria, fuga de salida y entrada baja