MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 400 V, ID 170 mA, Reducción, TO-243 de 3 pines
- Código RS:
- 177-2815
- Nº ref. fabric.:
- DN2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 177-2815
- Nº ref. fabric.:
- DN2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Serie | DN2540 | |
| Encapsulado | TO-243 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 25Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.6 mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Longitud | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Serie DN2540 | ||
Encapsulado TO-243 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.6 mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Longitud 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- US
El DN2540 es un transistor de modo de vaciado de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Características adicionales:
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Sin ruptura secundaria, fuga de salida y entrada baja
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