- Código RS:
- 177-9693
- Nº ref. fabric.:
- TN2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 18/07/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2000)
1,172 €
(exc. IVA)
1,418 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
2000 + | 1,172 € | 2.344,00 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 177-9693
- Nº ref. fabric.:
- TN2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- US
Datos del Producto
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo (2,0 V máx.)
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada (125 pF máx.)
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada (125 pF máx.)
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 260 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 400 V |
Tipo de Encapsulado | TO-243AA |
Serie | TN2540 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 12 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 0.6V |
Disipación de Potencia Máxima | 1,6 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 4.6mm |
Ancho | 2.6mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Tensión de diodo directa | 1.8V |
Altura | 1.6mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Enlaces relacionados
- MOSFET Microchip TP2540N8-G ID 125 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip DN3535N8-G ID 230 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip LND150N8-G ID 30 mA , config. Simple
- MOSFET DiodesZetex ZVN4424A ID 260 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip DN2540N5-G ID 500 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip VN2460N8-G ID 200 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip DN2540N8-G ID 170 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip DN2540N3-G ID 120 mA , config. Simple