MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 500 V, ID 30 mA, Reducción, TO-243 de 4 pines

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Código RS:
178-5275
Nº ref. fabric.:
LND150N8-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-243

Serie

LND150

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1kΩ

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.6mm

Altura

1.6mm

Anchura

2.6 mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex


La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

Características


Alta impedancia de entrada

Baja capacitancia de entrada

Velocidades de conmutación rápidas

Baja resistencia

Libre de ruptura secundaria

Baja fuga de salida y entrada

Aplicaciones típicas


Interruptores normalmente activados

Relés de estado sólido

Convertidores

Amplificadores lineales

Fuente de corriente constante

Circuitos de alimentación:

Telecomunicaciones

Transistores MOSFET, Microchip


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