MOSFET Microchip LND150N8-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, TO-243AA de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-5275
Nº ref. fabric.:: LND150N8-G
Fabricante:: Microchip

MOSFET Microchip LND150N8-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, TO-243AA de 4 pines, , config. Simple

6000 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2000)

0,587 €

(exc. IVA)

0,71 €

(inc.IVA)

unidades	Por unidad	Por Carrete*
2000 +	0,587 €	1.174,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 178-5275
Nº ref. fabric.:: LND150N8-G
Fabricante:: Microchip

Documentación Técnica

Datasheet

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Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex

La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

Características

Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada

Aplicaciones típicas

Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones

Transistores MOSFET, Microchip

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Tipo de Encapsulado	TO-243AA
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1 kΩ
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Disipación de Potencia Máxima	1,6 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	2.6mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	4.6mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.6mm