- Código RS:
- 177-3294
- Nº ref. fabric.:
- DN2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
2000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,984 €
(exc. IVA)
1,191 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
10 - 20 | 0,984 € | 9,84 € |
30 - 90 | 0,933 € | 9,33 € |
100 + | 0,842 € | 8,42 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 177-3294
- Nº ref. fabric.:
- DN2540N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- TW
Datos del Producto
El DN2540 es un transistor de modo de vaciado de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Características adicionales:
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Sin ruptura secundaria, fuga de salida y entrada baja
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Sin ruptura secundaria, fuga de salida y entrada baja
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 170 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 400 V |
Serie | DN2540 |
Tipo de Encapsulado | TO-243AA |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 25 Ω |
Modo de Canal | Reducción |
Disipación de Potencia Máxima | 1,6 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 4.6mm |
Ancho | 2.6mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Tensión de diodo directa | 1.8V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 1.6mm |
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