MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip MIC94050YM4-TR, VDSS 9 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, SOT-23-5

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Código RS:
599-040
Nº ref. fabric.:
MIC94050YM4-TR
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

FET DMOS de canal N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

350mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

9V

Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Modo de agotamiento

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

RoHS, ISO/TS‑16949

Altura

1.3mm

Anchura

1.75 mm

Longitud

3.05mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
El MOSFET de canal P de puerta de silicio de 4 terminales de Microchip proporciona una resistencia de conexión baja en un encapsulado compacto. Diseñado para aplicaciones de interruptor de lado alto donde el espacio es crítico, suele exhibir una resistencia encendida de 0,125 Ω a una tensión de puerta a fuente de 4,5 V. El MOSFET funciona con una tensión de puerta a fuente tan baja como 1,8 V.

Funciona con tensión de puerta a fuente de 1,8 V

La conexión de sustrato independiente permite el bloqueo inverso

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