MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip MIC94050YM4-TR, VDSS 9 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, SOT-23-5
- Código RS:
- 599-040
- Nº ref. fabric.:
- MIC94050YM4-TR
- Fabricante:
- Microchip
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- 599-040
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- MIC94050YM4-TR
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- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | FET DMOS de canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 9V | |
| Serie | MIC94050 | |
| Encapsulado | SOT-23-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Modo de agotamiento | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Altura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal FET DMOS de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 9V | ||
Serie MIC94050 | ||
Encapsulado SOT-23-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Modo de agotamiento | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 3.05mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Altura 1.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
El MOSFET de canal P de puerta de silicio de 4 terminales de Microchip proporciona una resistencia de conexión baja en un encapsulado compacto. Diseñado para aplicaciones de interruptor de lado alto donde el espacio es crítico, suele exhibir una resistencia encendida de 0,125 Ω a una tensión de puerta a fuente de 4,5 V. El MOSFET funciona con una tensión de puerta a fuente tan baja como 1,8 V.
Funciona con tensión de puerta a fuente de 1,8 V
La conexión de sustrato independiente permite el bloqueo inverso
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