MOSFET sencillos, N-Canal onsemi UF3C120400K3S, VDSS 1200 V, ID 7.6 A, Mejora, TO-247-3 de 3 pines
- Código RS:
- 648-529
- Nº ref. fabric.:
- UF3C120400K3S
- Fabricante:
- onsemi
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- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | UF3 | |
| Encapsulado | TO-247-3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 515mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free | |
| Longitud | 20.96mm | |
| Altura | 5.03mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie UF3 | ||
Encapsulado TO-247-3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 515mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free | ||
Longitud 20.96mm | ||
Altura 5.03mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CH
Los JFET de código casco EliteSiC de ON Semiconductor combinan un JFET SiC normalmente encendido con un MOSFET Si para crear un dispositivo normalmente apagado en una configuración de circuito de código casco, que ofrece un rendimiento de conmutación y fiabilidad superiores. Las ventajas incluyen alta eficiencia, frecuencia más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y tamaño de sistema más pequeño. Estos dispositivos admiten controladores de puerta estándar, lo que simplifica la sustitución de Si IGBT y dispositivos de superunión. Ideal para conmutar cargas inductivas.
Resistencia encendida RDS(encendida)
Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C
Excelente recuperación inversa
Carga de puerta baja
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