Transistor MOSFET onsemi NTHL160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 202-5706
Nº ref. fabric.:: NTHL160N120SC1
Fabricante:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi NTHL160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247 de 3 pines

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Precio unitario (En un Tubo de 450)

4,164 €

(exc. IVA)

5,038 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
450 +	4,164 €	1.873,80 €

*precio indicativo

Código RS:: 202-5706
Nº ref. fabric.:: NTHL160N120SC1
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet - NTHL160N120SC1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-3L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-3L

El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 17 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc/dc, inversor elevador.

Resistencia de drenaje a conexión de fuente 160mO
Carga de puerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Sin plomo
En conformidad con RoHS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Serie	NTH
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,11 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.3V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	SiC