MOSFET, N-Canal onsemi NXH008T120M3F2PTHG, VDSS 1.2 kV, ID 129 A, Mejora, PIM29 de 29 pines

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Código RS:
220-552
Nº ref. fabric.:
NXH008T120M3F2PTHG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

129A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

PIM29

Serie

NXH

Número de pines

29

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Tensión directa Vf

4.8V

Disipación de potencia máxima Pd

371W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

454nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

56.7mm

Anchura

42.5mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un MOSFET TNPC de SiC de 8 m ohm / 1200 V y un termistor con HPS DBC en un encapsulado F2.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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