MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH008T120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 129 A, Mejora, PIM29 de 29 pines

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Código RS:
220-552
Nº ref. fabric.:
NXH008T120M3F2PTHG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

129A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NXH

Encapsulado

PIM29

Número de pines

29

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

4.8V

Disipación de potencia máxima Pd

371W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

454nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

42.5 mm

Longitud

56.7mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un MOSFET TNPC de SiC de 8 m ohm / 1200 V y un termistor con HPS DBC en un encapsulado F2.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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